Вы здесь

Математическое моделирование радиационно-химических реакций в чистом кварцевом стекле

Автор: 
Шапошников Филипп Владимирович
Тип работы: 
диссертация кандидата физико-математических наук
Год: 
2007
Артикул:
16031
129 грн
(417 руб)
Добавить в корзину

Содержимое

Оглавление
Введение.
Глава I. Литературный обзор.
1.1. Основные понятия
1.1.1. Дефекты и центры окраски стекла
1.1.2. Методы исследования радиационных центров окраски РЦО в волоконных световодах
1.1.3. Характер взаимодействия уизлучения с сеткой стекла
1.2. Модели и реакции.
1.2.1. Модели стеклообразного состояния.
1.2.2. Радиационнохимические реакции в кварцевом стекле
1.2.3. Кинетика накопления дефектов.
1.2.4. Теоретические концепции кинетики.
1.2.5. Обоснование теоретической концепции кинетики.
1.2.6. Релаксация Кольрауша. Степенные параметры
1.2.7. Параметр . Низкомерные системы
1.2.8. Общие результаты теоретической кинетики
Глава II. Образцы и экспериментальная методика
2.1. Исследуемые световоды
2.2. Оценка концентраций технологических примесей в образцах
световодов
2.3. Экспериментальная установка для регистрации кинетики
наведенного поглощения в волоконных световодах
2.4. Метод расчета коэффициента наведенного поглощения в волоконных
световодах
2.5. Методика выбора режима облучения образцов
Глава III. Экспериментальные результаты.
3.1 Общие закономерности поведения уровня НП на длине волны 0 нм при уоблучении в световодах из стекла КУ1
3.1.1. Влияние коротких облучений мин с одинаковой мощностью дозы на эффект радиационного просветления
3.1.2. Влияние длительных облучений мин с одинаковыми мощностями дозы на эффект радиационного просветления.
3.1.3. Влияние импульсного облучения мин с различными мощностями доз на эффект радиационного просветления
3.1.4. Особенности эффекта радиационной закалки при чередовании мощностей доз в импульсах
3.1.5. Особенности эффекта радиационной закалки при проведении облучения по схеме зондударзонд
3.1.6. Особенности эффектов радиационного просветления и радиационной закалки при проведении облучения по схеме зондудар с повышенной мощностью дозы
3.2. Общие закономерности поведения уровня НП на длине волны 0 нм при уоблучении низкогидроксильных VВЧ и V4
световодов.
3.3. Анализ экспериментальных результатов
3.3.1. Обсуждение общего характера поведения константы скорости рекомбинации
3.3.2. графики в высокогидроксильных образцах КУ1
3.3.3. графики в координатах 0 1 и 1п1па0аь I для высокогидроксильных световодов КУ1
3.3.4. графики в обезразмеренных координатах релаксации Кольрауша в высокогидроксильных световодах КУ1
3.3.5. Графики в низкогидроксильных V световодах.
3.3.6. Графики в координатах 0 1 и 1п1паоа для низкогидроксильных световодов и С.
3.3.7. Графики в обезразмеренных координатах релаксации Кольрауша в низкогидроксильных световодах I и С.
Глава IV. Кинетика бимолекулярных реакций в уоблученных волоконных
световодах
4.1. Модель.
4.2. Усреднение локальной разности концентраций.
4.3. Модифицированные уравнения. Реакция в объеме.
4.4. Решение кинетических уравнений.
4.4.1 Равные начальные концентрации А0 В0 ро 0
4.4.2 Неравные начальные концентрации А0 Во ро 0
Приложение 1. Скейлинг
Глава V. Заключение.
Литература