Вы здесь

Екситонні збудження у вуглецевих нанотрубках

Автор: 
Смирнов Олексій Анатолійович
Тип работы: 
Дис. канд. наук
Год: 
2009
Артикул:
0409U004618
99 грн
(320 руб)
Добавить в корзину

Содержимое

ОГЛАВЛЕНИЕ
Список условных сокращений
Введение
Глава 1. Кулоновская модель
1.1. Постановка задачи об экситонных возбуждениях в квазиодномерных
полупроводниках. Кулоновская модель, как предельный случай
1.2. Одномерный атом водорода. Чётные и нечётные серии
1.3. Учёт неточечности зарядов
Глава 2. Линейный, двухатомный кристалл, как простейший квазиодномерный
полупроводник
2.1. Одноэлектронная зонная структура и собственные функции зонных
электронов
2.2. Собственные функции и спектр экситонов. Чистое и экранированное
электронно-дырочное взаимодействие
Глава 3. Уточнение кулоновской модели. Эффекты экранирования
3.1. Экранирование, обусловленное зонными электронами
3.1.1. Полупроводниковые нанотрубки
3.1.2. Металлические нанотрубки
3.2. Экранирование свободными зарядами
3.3. УНТ в диэлектрической среде. Внешнее экранирование
3.4. Диэлектрическое экранирование, обусловленное экситонами. Экситонная
стабилизация одночастичного спектра
Глава 4. Оптические переходы в углеродных нанотрубках, связанные с экситонами.
Влияние внешней среды
4.1. Спонтанные оптические переходы между экситонными уровнями
4.2. Энергии связи экситонов в УНТ, погружённых в диэлектрические среды
Выводы
Список